동진쎄미켐 사업 분석

[동진쎄미켐]

동진쎄미켐은 1967년 설립된 회사로, 플라스틱과 고무에 사용되는 발포제 제조로 시작했다. 2024년 기준 발포제 사업은 세계 9위 수준의 점유율을 형성하고 있다. 이후 사업을 확장하여 1989년에 감광액(포토레지스트, Photoresist, PR) 개발에 성공하며 본격적으로 반도체 공정재료 사업을 추진하였다. 이 외에도 디스플레이에 사용하는 스트리퍼 및 에천트 등 Wet Chemical 사업도 영위하고 있다.

[2Q25 기준 동진쎄미켐 사업 부문 및 매출액 & 비중 현황]

 

발포제 사업, 계열분리 추진

이부섭 동진쎄미켐 창업자가 2025년 2월 사망하며 장남 이준규가 이끄는 발포제 사업의 계열분리가 진행 중이다. 발포제 사업은 동사의 매출 중 약 6%를 차지하며, 1H25 기준 약 10%의 영업이익률 보인다. 이는 포토레지스트 등 전자재료 사업 부문의 영업이익률 약 12%보다 소폭 낮다. 동사의 매출에서 발포제 사업의 매출 비중이 작고 수익성 또한 상대적으로 낮은 편이라는 점을 감안하면, 인적분할로 인해 동사의 전자재료 사업 실적에 악영향을 줄 가능성은 낮다고 판단한다.
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NAND 및 DRAM 향 포토레지스트(PR) 강자

동사는 3D NAND용 KrF PR은 삼성전자와 공동 개발하였으며, 글로벌 시장 점유율 1위를 차지하고 있다. 현재까지도 삼성전자의 3D NAND용 KrF PR은 동진쎄미켐이 독점 공급하는 것으로 알려져 있다. KrF PR은 3D NAND 고단화 공정의 필수 소재이며, 고단화 수준 또한 높아지고 있다. 2025년 현재 더블 스태킹을 통해 삼성전자는 290단, SK하이닉스는 321단, 마이크론은 276단, YMTC는 270~294단(추정)의 3D NAND를 양산 중이다. 다음 세대의 3D NAND는 400단 전후가 될 것으로 보이는데, 이러한 다단화 추세는 KrF PR 사용량을 꾸준히 늘린다. 다만 400단 이상부터는 하이브리드 본딩을 적용할 가능성이 높은데, 이로 인해 장기적으로 KrF PR 성장률은 정체되고 AiF/ArFi PR의 수요가 증가할 것으로 보인다.
 

[4Q24 기준 NAND 시장 점유율. 동사의 KrF PR은 삼성전자 3D NAND 양산 공정에 독점 공급하며, 세계 1위 점유율을 차지한다.]

반면 동사는 DRAM 및 로직 반도체(7nm 이상)에서 사용하는 ArF PR에서는 후발주자의 위치에 있다. ArF PR을 보다 상세하게 구분하면 45nm 이상의 성숙 공정에서 주로 사용하는 ArF Dry PR(공기를 매질로 사용)과 7nm~45nm 급에서 사용하는 ArF Immersion PR((액체를 매칠로 사용, 이하 ArFi PR)로 구분할 수 있다. ArF Dry PR은 DRAM 제조 공정에 투입되고 있으나, 주요 경쟁 기업(JSR, TOK, 신에츠화학) 대비 동사 점유율은 낮다. ArF Dry PR은 성숙 공정에서 사용하는 만큼 향후 성장 여력과 이익률 증가 모두 제한적이다.

ArFi PR은 EUV 직전 공정에서 사용하며, 2013년 개발 완료 이후 현재 삼성전자 및 SK하이닉스에 납품하고 있다. ArFi PR 또한 주요 경쟁 기업 대비 시장 점유율은 낮은 편이다. 그러나 동사의 ArFi PR 납품은 EUV PR 개발 및 공급을 위한 다리 역할을 한 만큼, 전략적으로 매우 중요한 위치를 차지하고 있다.

동사의 EUV PR은 2019년 한일 무역분쟁(반도체 수출 규제) 과정에서 본격적으로 개발이 추진되었으며, 2022년부터 삼성전자 DRAM 양산 공정에 적용되었다. 현재는 파운드리용 EUV PR 및 High-NA EUV PR을 추가 개발하고 있다. 일본 기업이 DRAM 및 로직 반도체용 PR 시장을 독점에 가깝게 차지하고 있는 상황에서 동사의 EUV PR이 양산 공정에 채택된 것은 의미가 크다고 할 수 있다.

 

EUV PR의 높은 성장률 예상

DDR5 및 LPDDR5 메모리부터는 EUV 공정이 필수로 적용되며, DRAM 공정이 미세화될수록 EUV 레이어의 수 또한 늘어난다. 삼성전자의 경우 D1c 공정에서는 6~7개의 레이어에, D1d 공정에서는 9개의 레이어에 EUV를 적용할 계획이다. SK하이닉스 또한 D1c 공정에서 6개의 레이어에 EUV를 적용한다. DDR4의 생산 중단도 눈앞에 와 있는 만큼, 향후 EUV PR의 수요가 더욱 높아질 것은 분명하다.

현재 동사는 로직 반도체용 EUV PR을 삼성전자 파운드리에서 퀄 테스트 진행 중에 있다. 만약 동사의 EUV PR이 삼성전자 파운드리향 납품에 성공한다면 삼성전자 P5 건설 재개, 미국 테일러 및 오스틴 파운드리 신설 및 증설 과정에서 동사의 EUV PR도 경쟁사 제품과 함께 활용될 가능성이 높다. 이로 인한 높은 매출 증가를 기대할 수 있어 보인다.

 

높아지는 DRAM 및 NAND 가격은 동사에 우호적 환경 조성

현재 DRAM 및 NAND 가격은 완연한 상승 추세를 보이고 있다. 지난 2025년 7월 26일의 마이크론 IR에 따르면 올해 DRAM 및 NAND의 비트 수요 성장률은 연평균 10% 중반대를 기록할 것으로 예상했다. 반면 마이크론의 경우 비트 수요 성장률에 비해 공급 증가 속도가 느릴 것이라고 밝혔다. 삼성전자, SK하이닉스 또한 유사할 것으로 보인다. 이러한 환경은 동사의 PR 매출 증가에 긍정적인 영향을 줄 것으로 판단한다.